Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 35V |
Uce,max | 35V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 75MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 500T |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BC168 2N3856A KT3130B |
Изготовитель |
mitsubishiБиполярные транзисторы mitsubishiIGBT транзисторы mitsubishiFET транзисторы mitsubishi |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|