Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 95V |
Uce,max | - |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 20MHz |
Cctip,pF | 5 |
Hfe | 250T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
njrБиполярные транзисторы njrIGBT транзисторы njrFET транзисторы njr |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|