Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 20mA |
Ft,max | 400MHz |
Cctip,pF | 1 |
Hfe | 90/180 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BF599 2N4137 KT315D |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | VHF, Low Power |
to236 | Распиновка |
---|---|