Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 800mW |
Ucb,max | 200V |
Uce,max | 150V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 100MHz |
Cctip,pF | 3.5 |
Hfe | 70/140 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BC144 2N3636 KT940B |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|