Биполярный транзистор - 2SC2316-O
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 900mW |
| Ucb,max | 120V |
| Uce,max | 120V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 800mA |
| Ft,max | 120MHz |
| Cctip,pF | 30 |
| Hfe | 80/160 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | 2N3636 KT940B |
| Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
| Назначение | Low Power, General Purpose |
| to92 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |