Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 1W |
Ucb,max | 300V |
Uce,max | 300V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 4 |
Hfe | 40/80 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BFT19A 2N3636 KT940B |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|