Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 1W |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 8V |
Ic,max | 700mA |
Ft,max | 30MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 70/140 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BD239F 2N3659 KT940B |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|