Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 900mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 10V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 2A |
Ft,max | 150MHz |
Cctip,pF | 27 |
Hfe | 200MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | 2N3700 KT630G |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|