Биполярный транзистор - 2SC2669-O
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 200mW |
| Ucb,max | 35V |
| Uce,max | 30V |
| Ueb,max | 4V |
| Ic,max | 30mA |
| Ft,max | 100MHz |
| Cctip,pF | 3.2 |
| Hfe | 70/140 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BF240 2N3247 KT315G |
| Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
| Назначение | VHF, Low Power |
| to92 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |