Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 10W |
Ucb,max | 300V |
Uce,max | 300V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 200mA |
Ft,max | 50MHz |
Cctip,pF | 3 |
Hfe | 60/120 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BF417 2N3636 KT940B |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Power, TV Deflection |
to126 | Распиновка |
---|---|