Биполярный транзистор - 2SC2690-R
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 20W |
| Ucb,max | 120V |
| Uce,max | 120V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 1.2A |
| Ft,max | 175MHz |
| Cctip,pF | 19 |
| Hfe | 60/120 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
| Назначение | Medium Power, High Voltage |
| to126 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |