Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 20W |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 1.2A |
Ft,max | 175MHz |
Cctip,pF | 19 |
Hfe | 160MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Medium Power, High Voltage |
to126 | Распиновка |
---|---|