Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 120W |
Ucb,max | 500V |
Uce,max | 400V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 15A |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 15/30 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BUW13 2N6306 KT8107B |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
top3 | Распиновка |
---|---|