Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 30mA |
Ft,max | 500MHz |
Cctip,pF | 0.5 |
Hfe | 120MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BF599 2N3983 KT315B |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | VHF, Low Power |
to236 | Распиновка |
---|---|