Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 150mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 14V |
Ueb,max | 3V |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 1.5GHz |
Cctip,pF | 1.3 |
Hfe | 40/80 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BFS17 2N6619 KT372B |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | VHF, Low Power |
to236 | Распиновка |
---|---|