Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 50V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 150mA |
Ft,max | 300MHz |
Cctip,pF | 2.5 |
Hfe | 200MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BC174 2N3247 KT315G |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | VHF, Low Power |
to92 | Распиновка |
---|---|