Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 4V |
Ic,max | 20mA |
Ft,max | 400MHz |
Cctip,pF | 1.2 |
Hfe | 70/140 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BF225 2N3247 KT3117A |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | VHF, Low Power |
to92 | Распиновка |
---|---|