Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 225mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 40V |
Ueb,max | 25V |
Ic,max | 500mA |
Ft,max | 1MHz |
Cctip,pF | 30 |
Hfe | 47MIN |
Tj,max | 100ºC |
Аналоги | ACY17 2N1188 |
Изготовитель |
genБиполярные транзисторы genIGBT транзисторы genFET транзисторы gen |
Назначение | Medium Power, High Voltage |
to5 | Распиновка |
---|---|