Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 120V |
Uce,max | 120V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 800mA |
Ft,max | 120MHz |
Cctip,pF | 30 |
Hfe | 120MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Low Power, General Purpose |
sot89 | Распиновка |
---|---|