Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 80W |
Ucb,max | 900V |
Uce,max | 700V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 7A |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 10MIN |
Tj,max | 175ºC |
Аналоги | BUT16 |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Darlington, Power |
to3 | Распиновка |
---|---|