Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 40W |
Ucb,max | 300V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 5A |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 15MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BU406 2N6675 KT885A |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Power, High Voltage, General Purpose |
top3 | Распиновка |
---|---|