Биполярный транзистор - 111T2-18
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 800mW |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | - |
| Ueb,max | 4V |
| Ic,max | - |
| Ft,max | - |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 30/120 |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
| Назначение | Medium Power, Switching |
| to18 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |