Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 800mA |
Ft,max | 120MHz |
Cctip,pF | 13 |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BCW65 |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Medium Power, High Current |
to236 | Распиновка |
---|---|