Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 6.5W |
Ucb,max | 36V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 2A |
Ft,max | 915MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 40MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Ultra High Frequency, Medium Power |
u88 | Распиновка |
---|---|