Биполярный транзистор - 2N1990
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 600mW |
| Ucb,max | 100V |
| Uce,max | 60V |
| Ueb,max | 3V |
| Ic,max | 1A |
| Ft,max | 40MHz |
| Cctip,pF | 20 |
| Hfe | 20MIN |
| Tj,max | 175ºC |
| Аналоги | BSW66 2N1893 KT684V SFT186 |
| Изготовитель |
motorolaБиполярные транзисторы motorolaIGBT транзисторы motorolaFET транзисторы motorola |
| Назначение | Low Power, Medium Voltage, General Purpose |
| to5 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |