Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 300mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 300mA |
Ft,max | 300MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 70/140 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BC337 2N3247 KT315G |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|