Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 5W |
Ucb,max | 200V |
Uce,max | 200V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 0.1A |
Ft,max | 150MHz |
Cctip,pF | 1.2 |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Power, TV Deflection |
to126 | Распиновка |
---|---|