Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 17W |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 3A |
Ft,max | 1MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 20/60 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BD163 2N6372 KT817G |
Изготовитель |
steБиполярные транзисторы steIGBT транзисторы steFET транзисторы ste |
Назначение | Power, Switching, General Purpose |
to37 | Распиновка |
---|---|