Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 1W |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 300mA |
Ft,max | 500MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | - |
Tj,max | 100ºC |
Аналоги | P605 |
Изготовитель |
ssiБиполярные транзисторы ssiIGBT транзисторы ssiFET транзисторы ssi |
Назначение | Ultra High Frequency, Medium Power, High Current |
to31 | Распиновка |
---|---|