Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 10V |
Ic,max | 300mA |
Ft,max | 7MHz |
Cctip,pF | 15 |
Hfe | 45MIN |
Tj,max | 100ºC |
Аналоги | 2N2614 GT403B |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | Switching, Low Power, General Purpose |
to1 | Распиновка |
---|---|