Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 30V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 50mA |
Ft,max | 1.1GHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 39/82 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
rohmБиполярные транзисторы rohmIGBT транзисторы rohmFET транзисторы rohm |
Назначение | UHF, Low Power |
sot323 | Распиновка |
---|---|