Биполярный транзистор - 2N2102S

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность npn
Pc,max 800mW
Ucb,max 120V
Uce,max 60V
Ueb,max 7V
Ic,max 1A
Ft,max 60MHz
Cctip,pF 8
Hfe 40/120
Tj,max 200ºC
Аналоги BSW66 2N4001 KT630A
Изготовитель

philips

Биполярные транзисторы philips

IGBT транзисторы philips

FET транзисторы philips
Назначение RF, Medium Power, High Voltage
to5 Распиновка