Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 80W |
Ucb,max | 1100V |
Uce,max | 800V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 3A |
Ft,max | 15MHz |
Cctip,pF | 35 |
Hfe | 10/50 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BU508A KT8107B |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Power, High Voltage, General Purpose |
to218 | Распиновка |
---|---|