Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 10W |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 7V |
Ic,max | 0.5A |
Ft,max | 800MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 40/320 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to126 | Распиновка |
---|---|