Биполярный транзистор - 2SC5035
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 8W |
| Ucb,max | 160V |
| Uce,max | 120V |
| Ueb,max | 7V |
| Ic,max | 0.3A |
| Ft,max | 500MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 40/320 |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
| Назначение | Medium Power, General Purpose |
| to126 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |