Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 250mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 15V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 700mA |
Ft,max | 250MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 160MIN |
Tj,max | 125ºC |
Аналоги | BC639 2N3404 2SB808 2SD1020 KT630G |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Medium Power, High Current |
u29-1 | Распиновка |
---|---|