Биполярный транзистор - 2SD1012

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность npn
Pc,max 250mW
Ucb,max 20V
Uce,max 15V
Ueb,max 5V
Ic,max 700mA
Ft,max 250MHz
Cctip,pF 8
Hfe 160MIN
Tj,max 125ºC
Аналоги BC639 2N3404 2SB808 2SD1020 KT630G
Изготовитель

samsung

Биполярные транзисторы samsung

IGBT транзисторы samsung

FET транзисторы samsung

Назначение Medium Power, High Current
u29-1 Распиновка