Биполярный транзистор - 2SD1020-G

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность npn
Pc,max 350mW
Ucb,max 30V
Uce,max 25V
Ueb,max 5V
Ic,max 700mA
Ft,max 50MHz
Cctip,pF 13
Hfe 200MIN
Tj,max 175ºC
Аналоги BC337 2N3404 KT630G
Изготовитель

samsung

Биполярные транзисторы samsung

IGBT транзисторы samsung

FET транзисторы samsung

Назначение Low Power, General Purpose
to92 Распиновка