Биполярный транзистор - 2SD1021-O

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность npn
Pc,max 350mW
Ucb,max 40V
Uce,max 30V
Ueb,max 5V
Ic,max 1A
Ft,max 130MHz
Cctip,pF 22
Hfe 70/140
Tj,max 175ºC
Аналоги BC337 2N3404 KT630G
Изготовитель

samsung

Биполярные транзисторы samsung

IGBT транзисторы samsung

FET транзисторы samsung

Назначение Low Power, General Purpose
to92 Распиновка