Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 100W |
Ucb,max | 160V |
Uce,max | 140V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 12A |
Ft,max | 15MHz |
Cctip,pF | 210 |
Hfe | 60/120 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BD745F 2N5631 KT879A |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | High Power, High Voltage, General Purpose |
top3 | Распиновка |
---|---|