Биполярный транзистор - 2SD1145
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 900mW |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | 20V |
| Ueb,max | 6V |
| Ic,max | 5A |
| Ft,max | 120MHz |
| Cctip,pF | 45 |
| Hfe | 100MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | |
| Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
| Назначение | Power, General Purpose |
| to92 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |