Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 900mW |
Ucb,max | 60V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | 6V |
Ic,max | 5A |
Ft,max | 120MHz |
Cctip,pF | 45 |
Hfe | 100MIN |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|