Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 500mW |
Ucb,max | 20V |
Uce,max | 20V |
Ueb,max | - |
Ic,max | 100mA |
Ft,max | 60MHz |
Cctip,pF | 8 |
Hfe | 10/30 |
Tj,max | 200ºC |
Аналоги | BC109C 2N930 |
Изготовитель |
nscБиполярные транзисторы nscIGBT транзисторы nscFET транзисторы nsc |
Назначение | Low Power, General Purpose |
to18 | Распиновка |
---|---|