Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 25W |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 80V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 4A |
Ft,max | 9MHz |
Cctip,pF | 90 |
Hfe | 70/140 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BD589 2N6123 KT817G |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Power, General Purpose |
to220 | Распиновка |
---|---|