Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 15W |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 60V |
Ueb,max | 8V |
Ic,max | 3A |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 4000T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | 2SB1150 |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Darlington, Power |
to126 | Распиновка |
---|---|