Биполярный транзистор - 2SD2012-G
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 25W |
| Ucb,max | 60V |
| Uce,max | 60V |
| Ueb,max | 7V |
| Ic,max | 3A |
| Ft,max | 9MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 150MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BD935F 2N3138 KT817B |
| Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
| Назначение | Power, General Purpose |
| to220 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |