Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 900mW |
Ucb,max | 15V |
Uce,max | - |
Ueb,max | - |
Ic,max | 1A |
Ft,max | - |
Cctip,pF | - |
Hfe | 700T |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Medium Power, General Purpose |
to92 | Распиновка |
---|---|