Биполярный транзистор - 2SD227-G
| Параметр | Значение/Ед.Измерения |
|---|---|
| Материал | Silicon |
| Полярность | npn |
| Pc,max | 400mW |
| Ucb,max | 30V |
| Uce,max | 25V |
| Ueb,max | 5V |
| Ic,max | 300mA |
| Ft,max | 120MHz |
| Cctip,pF | - |
| Hfe | 200MIN |
| Tj,max | 150ºC |
| Аналоги | BCW36 2N3704 KT368A |
| Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
| Назначение | Low Power, General Purpose |
| to92 | Распиновка |
|---|---|
 |
 |