Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Germanium |
Полярность | pnp |
Pc,max | 200mW |
Ucb,max | 25V |
Uce,max | 25V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 25mA |
Ft,max | 75MHz |
Cctip,pF | 5 |
Hfe | 150T |
Tj,max | 100ºC |
Аналоги | AFY18 2N2786 GT321E |
Изготовитель |
tiБиполярные транзисторы tiIGBT транзисторы tiFET транзисторы ti |
Назначение | RF, Low Power, General Purpose |
to17 | Распиновка |
---|---|