Параметр | Значение/Ед.Измерения |
---|---|
Материал | Silicon |
Полярность | npn |
Pc,max | 25W |
Ucb,max | 80V |
Uce,max | 55V |
Ueb,max | 5V |
Ic,max | 3A |
Ft,max | 35MHz |
Cctip,pF | - |
Hfe | 70/140 |
Tj,max | 150ºC |
Аналоги | BD589 2N6123 KT805G |
Изготовитель |
samsungБиполярные транзисторы samsungIGBT транзисторы samsungFET транзисторы samsung |
Назначение | Power, General Purpose |
to220 | Распиновка |
---|---|