Биполярный транзистор - 2SD363-R

Параметр Значение/Ед.Измерения
Материал Silicon
Полярность npn
Pc,max 40W
Ucb,max 300V
Uce,max 120V
Ueb,max 8V
Ic,max 6A
Ft,max 10MHz
Cctip,pF -
Hfe 40/80
Tj,max 150ºC
Аналоги
Изготовитель

samsung

Биполярные транзисторы samsung

IGBT транзисторы samsung

FET транзисторы samsung
Назначение High Power, High Voltage, General Purpose
to220 Распиновка